型号 | SPD03N60C3 |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK |
SPD03N60C3 PDF | |
代理商 | SPD03N60C3 |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
产品目录绘图 | Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252 |
标准包装 | 2,500 |
系列 | CoolMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.4 欧姆 @ 2A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3.9V @ 135µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V |
功率 - 最大 | 38W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1616 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SP000013694 SP000308772 SPD03N60C3INTR SPD03N60C3T SPD03N60C3XT SPD03N60C3XTINTR SPD03N60C3XTINTR-ND SPD03N60C3ZT |